ЛОКАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ И РАМАН-СПЕКТРЫ КОМПЛЕКСОВ МОЛЕКУЛЯРНОГО ЙОДА

Abstract

Для  молекулярных комплексов, содержащих тиокарбонильную группу,участвующую в галогенной связи S…I–I, выполнен теоретический  квантово-топологический анализ электронной плотности с позиций теории QTAIM и проведен расчет Раман-активных волновых чисел. Обнаружено, что
колебание, отвечающее галогенной связи S…I, носит составной характер. Установлена количественная взаимосвязь между волновыми числами, соответствующими валентным колебаниям связей I–I в комплексах, и электронной плотностью и плотностью кинетической энергии электронов в критических точках связей I–I.